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厂商型号

FDP047AN08A0_F102 

产品描述

TO-220AB, SINGLE, N-CH, 75V, 4.7MOHM ULTRAFET TRENCH MOSFET

内部编号

3-FDP047AN08A0-F102

#1

数量:4800
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新加坡
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FDP047AN08A0_F102产品详细规格

规格书 FDP047AN08A0_F102 datasheet 规格书
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 400
标准包装 50
工厂包装数量 400
晶体管极性 N-Channel
最低工作温度 - 55 C
源极击穿电压 +/- 20 V
连续漏极电流 80 A
系列 FDP
单位重量 0.063493 oz
RDS(ON) 4.7 mOhms
封装 Tube
功率耗散 310 W
安装风格 Through Hole
封装/外壳 TO-220-3
配置 Single
最高工作温度 + 175 C
漏源击穿电压 75 V
RoHS RoHS Compliant
Vgs - Gate-Source Voltage 20 V
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 75 V
品牌 Fairchild Semiconductor
Id - Continuous Drain Current 80 A
身高 16.3 mm
长度 10.67 mm
通道数 1 Channel
Rds On - Drain-Source Resistance 4.7 mOhms
Pd - Power Dissipation 310 W
晶体管类型 1 N-Channel
技术 Si

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